中國要強盛、要復興，就一定要大力發展科學技術，努力成為世界主要科學中心和創新高地。我們比歷史上任何時期都更接近中華民族偉大復興的目標，我們比歷史上任何時期都更需要建設世界科技強國！
——2018年5月28日 ，習近平總書記在中國科學院第十九次院士大會、中國工程院第十四次院士大會上的重要講話
中國芯，中國造！早在新中國成立初期，莆田籍著名半導體材料學家、物理學家林蘭英，不畏艱難，奮力攻堅，帶領科研團隊創造了半導體研發領域的多個“中國第一”，趕上世界前列水平。
林蘭英（1918-2003）
所謂半導體，是指導電性能介於金屬和絕緣體之間離子型導電的物質。用它製成的半導體二極管、三極管和集成電路等，是許多現代新科技不可缺少的主要部件。世界第一塊半導體材料鍺單晶，早在1948年已被美國的物理學家研製出來了，而中國半導體材料科學發展史的第一頁，則是由林蘭英來書寫的。
抗爭而來的求學機會
1918年2月，林蘭英出生在福建莆田。幼年的林蘭英勤勞敏學，心靈手巧，許多事她做起來輕鬆自如。
6歲的時候，林蘭英便吵著要上學，但守舊的母親卻不允許。為了獲得上學的機會，倔強的她把自己反鎖在屋裡，近三天不吃不喝，絕食相逼才得到母親的應允，終於獲得了和男孩子一樣的學習機會。
雖然求學路上經歷了很多磨難， 加上在學習之餘還要承擔繁重的家務勞動，但林蘭英都克服堅持了下來。從初中到高中，12個學期她考了12個全年級第一。
1936年，她以優異的成績考入福建協和大學數理系。畢業後，林蘭英留校任教，1948年，作為交換留學生前往美國迪金森學院數學系留學。因為成績優秀，林蘭英很快受到數學系主任埃爾教授的器重，常常把自己編寫的專著交給她，讓她為書中的習題作解答。簡潔的答案、奇特的思路讓埃爾教授對她大加讚賞，“東方才女”的名聲就這樣流傳開來。
獲得數學學士學位後，鑑於人才難得，埃爾教授推薦她去芝加哥大學深造。但林蘭英認為，貧窮落後的祖國，最為需要、最為適用的，還是物理。因此，她毅然放棄了在數學領域已經取得的成績，於1949年進入賓夕法尼亞大學，開始了固體物理研究。
1955年，林蘭英的博士論文發表於美國最具權威的《理評論》雜誌上，受到高度好評，她也因此成為賓夕法尼亞大學建校115年來的第一位中國博士，也是該校有史以來的第一位女博士。
報效祖國的赤子之心
博士畢業後，在導師的推薦下，林蘭英受聘於索菲尼亞公司，任高級工程師，負責半導體科研工作。依靠林蘭英傑出的科學分析指導，公司成功地造出了第一根硅單晶。不久，她又為公司申報了兩項專利，公司三次提高她的年薪。
獎勵、加薪接踵而來，林蘭英卻一刻也沒有放下回國的念頭。奈何出色的成績令她在美國聯邦調查局“榜上有名”，歸國之路受到百般刁難。
1956年，在日內瓦會議上，中美達成協議：中方分批釋放在朝鮮戰場被俘的美軍，而美方則允許部分留學生回中國。
消息傳開，以“母親重病”為由，林蘭英提交了回國申請。提出辭職的時候，公司主管非常意外：“你回到歷經戰亂的中國，只會過一種大大低於美國生活水準的生活。”一對美籍華人朋友也專程趕來勸說，林蘭英卻斬釘截鐵：“你要說服我不回國就像我要說服你回國一樣是不可能的！”
1957春節，經歷了聯邦調查局的層層阻攔，林蘭英踏上了祖國的土地。雖然她的積蓄全被美國當局扣押，回國後已經身無分文，但她還是毅然將自己冒險帶回來的“藥”——價值20多萬元的500克鍺單晶和100克硅單晶，無償地贈給了中國科學院，成了我國半導體科學工作者求之不得的無價之寶。
回國後，她因急性腹膜炎被抬上手術檯，周恩來總理指示：“只能治好，不能出任何意外。” 林蘭英淚光盈盈，更加堅定了報效祖國的決心。
林蘭英十分愛國。20世紀80年代中期，林蘭英去美國幾所大學訪問，向那裡的中國留學生說了這樣一段話：“不能用50年代的條件要求你們，因為時代不同了。但無論是50年代還是80年代，甚至是21世紀，有一個我們大家必須遵循的共同點，那就是凡是炎黃子孫，你應該把你的黃金時代貢獻給祖國的科學事業。”
創造多個“新中國第一”
黨和國家對回國的林蘭英高度重視，安排她去中科院應用物理所工作。“我也有過思想鬥爭，我不是學半導體材料的，國外也沒有這個專業，但為了填補我國半導體材料的空白，我還是服從了。”
在應用物理所，林蘭英第一個目標就是：拉制出屬於中國的第一根硅單晶。
當時新中國百廢待興，製取硅單晶最需要的保護氣——氬氣更是稀缺，這種氣體國內不能生產，又被列在國外的禁運名單上。最終，林蘭英想出了抽真空的方法，並且把她在美國發明的籽晶保護罩運用到製造過程中。1958年，在她的努力下，拉制出中國第一根硅單晶。不僅如此，北京電子管廠還利用她和同事們研製成功的鍺單晶，製造出我國第一次向市場銷售的半導體收音機。
此後，林蘭英還在半導體材料研製方面，創造出許多箇中國第一。
1961年，她主持設計的我國第一臺開門式硅單晶爐研製成功，由於這種爐的技術先進，後來還遠銷多個國家；
1962年春，她成功拉制出我國第一根無位錯硅單晶，其質量達到世界先進水平；
同年10月，研製出我國第一個砷化鎵單晶樣品，為1964年我國第一隻砷化鎵二極管激光器的問世準備了條件；
1981年，合作完成4千位、16千位大規模集成電路——硅柵MOS隨機存儲器的研製，因而獲得中國科學院重大科技成果一等獎；
1987年，她在我國返回式衛星上成功進行生產我國第一根砷化鎵晶體實驗，這是世界上第一次利用太空材料製作成半導體器件；
1988年，林蘭英再次問鼎太空，進行摻硅的砷化鎵單晶太空生長試驗，並用這種嶄新的材料作“襯底”，製得室溫連續相干雙異質結激光器，最先證明了空間材料的可用性，這在國際同行中是首創。
晚年的林蘭英
2003年3月4日下午1時36分，林蘭英院士與世長辭，享年85歲。
終身未婚的林蘭英，全部的精力和智慧都貢獻給了科學，因而四次獲中科院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科技進步二、三等獎，1996年獲何梁何利科技進步獎，1998年獲霍英東成就獎。她身為巾幗，用心乃丈夫，有膽有識，敢打敢拼，她的豐功偉績、赤子情懷，值得每一箇中國人為之驕傲和自豪。
（莆田市紀委監委 供稿）
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